千葉大学 大学院工学研究科・工学部


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坂東 弘之
バンドウ ヒロユキ
Hiroyuki Bando
助教
ナノサイエンス専攻
ナノ物性コース
ナノサイエンス学科
ナノ量子物性科学領域
043-290-3443
043-290-3442
bando@
(@マーク以下にfaculty.chiba-u.jpと入力してください。)
早稲田大学理工学部電気工学科1993, 早稲田大学大学院理工学研究科1995 修士(工学), 早稲田大学2000 博士(工学)
早稲田大学・理工学部・助手1997.4-2000.3, 大阪電気通信大学・学術フロンティア推進センター・ポストドクター200.4-2001.3, 科学技術振興事業団・戦略的基礎研究(CREST)・研究員(理化学研究所・半導体工学研究室)2001.4-2001.5,現職2001.6-
応用物理学会, 日本物理学会,日本表面科学会
半導体工学, 半導体物性, 結晶成長,超高速分光
・III-V族化合物半導体の光非線形性と高機能・光デバイスの研究
・2光子吸収型全光スイッチの研究
産学連携可能
[1] 'Polarization dependence of two-photon absorption coefficient and nonlinear susceptibility tensor in InP', Physica Status Solidi (c) 8 (2011) 387-389.
[2] 'Wavelength dependence of two-photon absorption in InP substrates and MBE-grown InGaAs thin films', Inter. Conf. MBE-XIV (2006) 315.
[3] 'Relation between lattice strain relaxation and crosshatch patterns in MBE-grown InGaAs thin films on InP substrates', Inter. Conf. MBE-XIV (2006) 198.
[4] 'Crosshatch observation in MBE-grown Be-doped InGaAs epilayer on InP', J. Crystal Growth 278 (2005) 610-613.
[5] 'Phosphorous-beam free InP substrate cleaning for MBE', J. Crystal Growth 278 (2005) 464-467.
[6] 'Absorption Saturation Energy Density of InGaAs-InAlAs Multiple Quantum Well under Tensile and Compressive Strain', Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L558-L560.
[7] 'Ultrafast and wideband response in optical nonlinearity of molecular-beam-epitaxy-grown GaAs', Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L745-L747.
[8] 'Time-dependent oxidation process of surface of Bi2Te3 studied by x-ray photoelectron spectroscopy', J. Phys.: Condens. Matter 12 (2000) 5607-5616.
[9] 'Scanning tunnelling microscopy study of charge-density wave structure in Hf-doped 1T-TaS2', J. Phys.: Condens. Matter 12 (2000) 4353-4363.

[10]特許 第4590645号 「光−光スイッチング方法、光−光スイッチング素子およびその製造方法」 (2010).
[11]特許 第4496364号 「半導体デバイスとその製造方法」(2010).
[12] 国際特許出願 PCT/JP2006/301780
[13] 特許 第3830858号 「超高速・広い波長帯域の光可飽和吸収半導体、それを用いた半導体装置及び導波路型光ー光スイッチ」 (2006).
量子波物理工学特論(融合)
プロジェクト研究I, II(ナノ)
物理学演習CII電磁気学演習2(ナノ)
応用物理学実験I, II(ナノ)
ナノ物性科学実験I, II(ナノ)
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