千葉大学 大学院工学研究科・工学部


写真3.JPG
青木 伸之
アオキ ノブユキ
Nobuyuki Aoki
ナノ物性コース
ナノ量子物性科学領域
准教授
ナノサイエンス専攻
ナノ物性コース
ナノサイエンス学科
量子機能デバイス
043-290-3430
043-290-3427
n-aoki@
(@マーク以下にfaculty.chiba-u.jpと入力してください。)
http://adv.chiba-u.jp/nano/qnd/index.html
明治大学理工学部電子通信工学科,1994
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科,1996,修士(材料科学)
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科,1998,博士(材料科学)
平成11年 千葉大学工学部物質工学科助手に採用される
平成15年 千葉大学工学部電子機械工学科助手に所属転換
平成16年 日本学術振興会海外特別研究員にてアリゾナ州立大学へ出張(平成17年9月まで)
平成19年 千葉大学大学院融合科学研究科助教に所属転換
平成20年 千葉大学大学院融合科学研究科准教授
平成24年 科学技術振興機構さきがけ研究員・兼任(平成28年3月まで)   
日本物理学会,応用物理学会,フラーレン・カーボンナノチューブ・グラフェン学会
半導体物性,ナノカーボン材料,走査型プローブ顕微鏡
・半導体量子細線・量子ドットの低温磁気輸送現象の解明と素子応用
・グラフェン,遷移金属ダイカルコゲナイドの伝導特性評価
・フラーレンやカーボンナノチューブを用いた新機能ナノデバイスの開発
・走査ゲート顕微法による,半導体ナノ回路の局所伝導特性の視覚化
[1]Nanoscale-Barrier Formation Induced by Low-Dose Electron-Beam Exposure in Ultrathin MoS2 Transistors, ACS Nano, 10, p.9730-1-8, (2016).
[2]Thermally Assisted Nonvolatile Memory in Monolayer MoS2 Transistors, Nano Letters, 16, 6445-1-7, (2016).
[3]Conductance fluctuations in high mobility monolayer graphene: Nonergodicity, lack of determinism and chaotic behavior, Scientific Reports, 6, 33118-1-8, (2016).
[4]Tunable Electrical and Optical Characteristics in Monolayer Graphene and Few-Layer MoS2 Heterostructure Devices, Nano Lett., 15, p.5017-5024 (2015).
[5]Mechanisms in CVD-Grown Monolayer MoS2 Transistors: From Variable-Range Hopping to Velocity Saturation, Nano Lett., 15, p.5052-5058 (2015).
[6]Scanning gate imaging of a disordered quantum point contact, J. Phys.: Condens. Matt., 26, p.193202 (13pp) (2014).
[7]走査ゲート顕微法を用いた新規FETデバイスのナノスケール局所電気伝導特性評価,応用物理,81,1024-1028,(2012).
[8] Direct Imaging of Electron States in Open Quantum Dots, Phys. Rev. Lett. 108, p.136804-1-5 (2012).
[9] Coupling Quantum States through a Continuum: A Mesoscopic Multistate Fano Resonance, Phys. Rev. X 2, p.021003-1-13 (2012).
[10] Regular conductance fluctuations indicative of quasi-ballistic transport in bilayer grapheme, J. Phys.: Cond. Matt. 21, p. 382202-1-4 (2009).
[11] Aharonov-Bohm effect in the magnetoresistance of a multiwalled carbon nanotube with tunneling contacts, Phys. Rev. B, vol. 77, p.113408-1-4 (2008).
[12] Scanning gate microscopy of copper phthalocyanine field effect transistors, Appl. Phys. Lett., vol.91, 192113-1-3 (2007).
[13] Probing the microscopic structure of bound states in quantum point contacts, Phys. Rev. Lett., vol.99, 136805-1-4 (2007).
[14] 走査ゲート顕微法によるInGaAs量子ポイントコンタクトの観察, 固体物理, vol.42, 9-18 (2007).
[15] Imaging of quantum interference patterns within a quantum point contact, Appl. Phys. Lett., vol.89, 242109-1-3 (2006).『掲載号の表紙絵に採用』
[16 Resonantly Enhanced Nonlinear Conductance in Long Quantum Point Contacts near Pinch-Off, Phys. Rev. Lett., vol. 97, 096801-1-4 (2006).
[17] Scanning gate microscopy investigations on an InGaAs quantum point contact, Appl. Phys. Lett., vol. 87, p.223501-1-3 (2005).
[18] Imaging of integer quantum Hall edge state in a quantum point contact via scanning gate microscopy, Phys. Rev. B, vol. 72, 155327-1-4 (2005).
[1]詳説 半導体物性(David K. Ferry著),コロナ社,落合勇一,関根智幸,青木伸之 共訳,2016年5月31日.
[2]FULLERENE NANOWHISKERS,PAN STANFORD PUBLISHING, 2010. (Ed. by Kun'ichi Miyazawa) Chp.15, ELECTRONICS DEVICE APPLICATION OF FULLERENE NANOWHISKERS 担当 (Y. Ochiai, N. Aoki and J. P. Bird)
・応用物理学実験Ⅰ,Ⅱ
・ナノ物性科学実験Ⅰ,Ⅱ
・電磁気学基礎演習1
・基礎半導体工学
・物性物理科学Ⅱ
・量子輸送科学特論(大学院)
研究概要B.pdf(pdf)