千葉大学 大学院工学研究科・工学部


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石谷 善博
イシタニ ヨシヒロ
Yoshihiro Ishitani
物性デバイス教育研究領域
光エレクトロニクス教育研究分野
教授
人工システム科学専攻
電気電子系コース
電気電子工学科
工学系総合研究棟2−505
043-290-3330
043-290-3330
ishitani@
(@マーク以下にfaculty.chiba-u.jpと入力してください。)
http://photonics.te.chiba-u.jp/
京都大学物理工学科1989, 京都大学大学院物理工学専攻1991 工学修士, 京都大学1999 博士(工学)
(株)日立製作所 中央研究所,広島大学工学部助手,2001.3 千葉大学 助教授 工学部
2007.4 千葉大学 准教授 工学研究科
2010.4 千葉大学 教授 工学研究科
日本物理学会,応用物理学会,結晶成長学会
半導体光物性、フォノン工学、窒化物半導体、ナノテクノロジー、無機半導体結晶成長
[1]ワイドギャップ半導体キャリア・フォノンダイナミクス[2]赤外−紫外広波長領域分光[3]ワイドギャップ半導体デバイス
[1]“Dielectric absorption of s-polarized infrared light resonant to longitudinal optical phonon energy incident on lateral (0001)GaN/Ti stripe structures”, Y. Ishitani, K. Hatta, K. Morita, and B. Ma, Journal of Physics D 48, 095103(2015)
[2] “Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films”, Y. Ishitani, Selected Topics in Applied Physics, Jpn, J. Appl. Phys. 53, 100204 (2014)
[3] “Analysis of non-radiative carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy”, D. Imai, Y. Ishitani, M. Fujiwara, X. Q. Wang, K. Kusakabe, and A. Yoshikawa, J. Electronic Materials 42, 875-881 (2013)
[4] “Theoretical and experimental study of the optical absorption at longitudinal phonon or phonon-plasmon coupling mode energy: An example of GaN”,Y. Ishitani, J. Appl. Phys. 112, 063531(1-8) (2012)
[5]“Carrier recombination processes in Mg-doped N-polar InN films”, D. Imai, Y. Ishitani, M. Fujiwara, X. Q. Wang, K. Kusakabe, and A. Yoshikawa, Physica Status Solidi B249, pp.472-475 (2012)
[6]“Electron and hole scattering in InN films investigated by infrared measurements”, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwara, Daichi Imai, Kasuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa, Physica Status Solidi A, 207,pp. 56-64 (2012)
[7]"Dependence of Mg acceptor levels in InN on doping density and temperature",M. Fujiwara,Y. Ishitani, D. Imai, K. Kusakabe, and A. Yoshikawa,J.Appl.Phys. 110, pp.093505(1-3) (2011)
[8] “Carrier recombination processes in Mg-doped N-polar InN films”,D. Imai, Y. Ishitani, M. Fujiwara, X. Q. Wang, K. Kusakabe, and A. Yoshikawa, Applied Physics Letters 98, 181901, (2011)
[9] “Carrier recombination processes in In-polar n-InN in regions of low residual electron density”,Y.Ishitani, K.Kato, H.Ogiwara, S.B.Che, and A.Yoshikawa, and X.Wang, Journal of Applied Physics, 106, pp. 113515 (2009)
[10]「InNの結晶欠陥とキャリアダイナミクス」石谷善博、藤原昌幸、吉川明彦、日本結晶成長学会誌 36, 45 – 53 (2009)
[11]”Broadening factors of E1(LO) phonon-plasmon coupling modes of hexagonal InN investigated by infrared reflectance measurements”, Y.Ishitani, T.Ohira, X.Wang, S.B.Che, and A.Yoshikawa, Phys.Rev.B 76, 045206(2007)
[12]"Study of carrier dynamics in indirect transition type (Al0.7Ga0.3)0.5/AlxIn1-xP superlattices by transient photoluminescence and photocurrent measurements",J.Appl.Phys.92,2041-2046(2002)
[13]"Exciton dissociation effects on time resolved photoluminescence measurements of an Al0.53In0.47P/ Ga0.52In0.48P / Al0.53In0.47P -quantum well structure",J.Appl.Phys.89,6426-6430(2001)
[1]ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 森北出版 高橋清監修 吉川明彦・長谷川文夫編著 (共著)
[2]Waid Bandgap Semiconductors, Springer, Editors: K.Takahasi, A.Yoshikawa, and A.Sandhu,共著
[1]基礎電子物性
[2]半導体デバイス
[3]半導体光・電子物性
[4]量子光・電子物性
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